在半导体制造的精密赛道上，芯片托盘变形正成为影响生产效率与产品良率的 “隐形杀手”。材料老化、高温冲击、应力不均等因素，可能导致托盘出现翘曲、形变，引发芯片定位偏差、接触不良等问题，造成生产线停滞、良品率骤降，甚至带来高昂的返工成本与交付风险。如何突破这一技术瓶颈？爱福旺公司自主研发的隧道炉，以创新科技为芯片托盘 “重塑新生”，为半导体生产注入高效稳定动能！

芯片托盘变形隧道炉参数如下：

内胆尺寸：长3000*宽，330*高 150mm，炉口净高 50mm，配手动调节门。
外形尺寸（约）：长3000*宽 650*高 2150日mm，地面离输送面高度1350mm±25mm，进／出料段各留500rnrn。
温度范围：室温＋10～＋250℃可调节。
温度波动度： 小于等于±l °C。
温度均匀度：小于等于土3℃（恒温状态下， 空载测试）。
升温速率： 大于等于5-10度／分。
外壳温度： 温升不超过环境＋15℃， 接缝处周边除外。
循环风方式：水平循环运风
电源：二相五线制， 380V, 50HZ

功率： 约14KW